9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTTFS4941NTAG，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTTFS4941NTAG价格参考0.68000美元。onsemi NTTFS4941NTAG封装/规格：MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN。您可以下载NTTFS4941NTAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTTFS4939NTAG是MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm单N-Chan u8FL，包括NTTFS4939 N系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如WDFN-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供2.21 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.9 ns，上升时间为20.6 ns，Id连续漏极电流为14.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为1.2V，Rds漏极-源极电阻为5.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20.8ns，典型接通延迟时间为12.2ns，Qg栅极电荷为28nC，正向跨导Min为35S。
NTTFS4937NTAG是MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.000335盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作4.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷轴式，该器件采用UDFN-8封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为82A，配置为单通道。
NTTFS4939NTWG是MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm单N-Chan u8FL，包括单配置，它们设计为以69 a Id连续漏电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供信道数功能，如1信道，封装盒设计为在UDFN-8中工作，以及卷筒封装，该器件也可以用作5.5mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为NTTFS4939N，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.000335盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30 V。
NTTFS4932NTWG是MOSFET 30V 79A 4 mOhm单N-Chan u8FL，包括UDFN-8封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表说明所示，用于单体，提供Si等技术特性，封装设计用于卷筒，以及NTTFS4932N系列，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，Id连续漏极电流为93 A，器件提供4 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有30 V Vds漏极源极击穿电压，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.000335盎司。
