9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD68N10N3GBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD68N10N3GBTMA1参考价格为10.222美元。Infineon Technologies IPD68N10N3GBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3。您可以下载IPD68N10N3GBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD68N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD068N10N3GBTMA1 IPD068H10N3GXT SP000469892，提供单位重量功能，如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为37 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IPD060N03LGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道，该设备也可以用作IPD6060N03系列。此外，Rds漏极源极电阻为6 mOhms，该器件以G IPD060N03L IPD060NO3LGXT SP000680632零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为50 a。
IPD068N10N3GATMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于IPD068N8N10N3G SP001127816，该产品提供Si等技术特性。
IPD068N10N3G是由INF制造的MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3。IPD068N20N3G有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 90A-TO252-3。
