9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD096N08N3GBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD096N08N3GBTMA1参考价格为0.35000美元。Infineon Technologies IPD096N08N3GBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3。您可以下载IPD096N08N3GBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD096N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD096NO8N3GBTMA1 IPD096NO 8N3GXT SP000474196，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为100 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为73A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型导通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为26nC，并且前向跨导Min为30S，并且信道模式为增强。
IPD090N03LGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IPD090N03，器件的上升时间为3 ns，器件的漏极-源极电阻为7.5 mOhms，Qg栅极电荷为15 nC，Pd功耗为42 W，部件别名为G IPD090NO3L IPD090NO 3LGXT SP000680636，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为40 A，正向跨导最小值为53 S，下降时间为2.6 ns，配置为单一。
IPD096N08N是由INF制造的MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3。IPD096NO8N有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH80V 73A-TO252-3。
IPD096N08N3G是由INF制造的MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3。IPD096NO8N3G可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH80V 73A-TO252-3。
