9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5404BDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5404BDC-T1-GE3参考价格为29.764美元。Vishay Siliconix SI5404BDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8。您可以下载SI5404BDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5403DC-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI5403DC GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于ChipFET-8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单十六进制漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-电源电阻为30mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为50ns，沟道模式为增强。
SI5404BDC-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在12 ns上升时间内提供，器件具有28 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.3 W，零件别名为SI5404BDC-E3，封装为卷轴，封装外壳为ChipFET-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.4A，下降时间为12ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI5403-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI5403-T1-GE3在SOT23-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI5404，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI5404有1206-8封装，是FET的一部分-单体。
