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IPD135N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 45A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD135NO8N3GBTMA1 IPD135NO 8N3GXT SP000454266，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为79 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为45A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
IPD135N03LGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作IPD135N03系列。此外，Rds漏极-源极电阻为13.5 mOhms，该器件以G IPD135N03L IPD135NO3LGXT SP000796912零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为30 a。
IPD135N08N3GATMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于卷筒封装，数据表注释中显示了用于G IPD135NO8N3的零件别名，G IPD155N08N3提供Si等技术特性。
IPD135N08N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3。IPD135N08N3G采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3。
