9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD25N06S240ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD25N06S240ATMA1参考价格为0.22000美元。Infineon Technologies IPD25N06S240ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3。您可以下载IPD25N06S240ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD25N06S2-40是MOSFET N-Ch 55V 29A DPAK-2 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在IPD25NO6S240ATMA1 IPD25N6S240ATMA2 SP001063628中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为68 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
IPD25CN10NGBUMA1是MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS 2，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于XPD25CN10，以及G IPD25CCN10N IPD25CN10NGXT SP000096456部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-252-3，该设备提供1信道数信道。
IPD25CN18NG是由infineon制造的MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3。IPD25CN18NG采用TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3。
IPD25N06N3G，带有由infineon制造的EDA/CAD模型。IPD25N06N3G采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
