9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD26N06S2L35ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD26N06S2L35ATMA1参考价格为0.22000美元。Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3。您可以下载IPD26N06S2L35ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPD26N06S2L35ATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPD25N06S4L30ATMA1是MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括XPD25N06系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPD25NO6S4L-30 IPD25N6S4L30XT SP000481508的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为29 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为1 ns，Vgs栅源电压为+/-16，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为12.5nC，沟道模式为增强。
IPD25N06S4L-30是MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为1 ns，漏极-源极电阻Rds为30 mOhms，Qg栅极电荷为12.5 nC，Pd功耗为29 W，部件别名为IPD25N06S4L30ATMA1 IPD25NO6S4L30ATM A2 IPD25NO 6S4L30XT SP001028636，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为25 A，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD26N06S2L-35是MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了用于11 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流特性，如26 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，部件别名为IPD26N06S2L35ATMA1 IPD26NO6S2L35ATM A2 SP001063630，Pd功耗为68 W，漏极电阻Rds为35 mOhms，上升时间为18 ns，系列为OptiMOS，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为5ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPD25N06S4L30ATMA2是MOSFET MOSFET，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPD25NO6S4L-30 IPD25NO 6S4L30XT SP001028636以及IPD25N6系列，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
