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IPD30N03S2L-07是MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装。IPD30NO3S2L07ATMA1 IPD30NO 3S2L07XT SP000254463中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPD28N03，带有INFINEON制造的用户指南。IPD28N03采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
IPD28N03L，带有infineon制造的电路图。IPD28N03L采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
IPD2N06L35，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPD2N06L35采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
