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APT94N65B2C3G是MOSFET N-CH 650V 94A TO-247，包括通孔安装型，设计用于T-Max封装外壳，技术如数据表说明所示，用于Si，提供双路等配置功能，Pd功耗设计用于833 W，最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃。此外，下降时间为167纳秒，器件的上升时间为59纳秒，器件具有20 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为94 a 94 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V 650 V，Vgs第栅极-源极端电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为30mOhms 30mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为498ns，典型接通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为580nC，沟道模式为增强。
APT94N60L2C3G是MOSFET N-CH 600V 94A TO264，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.373904 oz，典型开启延迟时间设计为18 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为30 mOhms，Qg栅极电荷为505 nC，Pd功耗为833W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-264-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为94 A，下降时间为8 ns，通道模式为增强型。
APT94N60L2C3是由APT制造的MOSFET N-CH 600V 94A TO264。APT94N80L2C3以TO-264-3、TO-264AA封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 94A TO 264。
