9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5475BDC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5475BDC-T1-E3参考价格$1.736。Vishay Siliconix SI5475BDC-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8。您可以下载SI5475BDC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5471DC-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI5471DC-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.002998盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为单十六进制漏极，FET类型为MOSFET P沟道、金属氧化物，最大功率为6.3W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为2945pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为20mOhm@9.1A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为96nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns 22 ns，上升时间为35 ns 8 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为70ns 78ns，典型接通延迟时间为32ns 9ns，Qg栅极电荷为30nC，沟道模式为增强。
SI5473DC-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI5473DC-T1提供1206-8封装，是FET的一部分-单体。
SI5473DC-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8。SI5473DC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8、P通道12V 5.9A（Ta）1.3W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 8引脚片式FET T/R。
