9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD33CN10NGBUMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD33CN10NGBUMA1参考价格为12.716美元。Infineon Technologies IPD33CN10NGBUMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3。您可以下载IPD33CN10NGBUMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD320N20N3GBTMA1是MOSFET N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3，包括XPD320N20系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于G IPD320N2 0N3IPD320N3GBTXT SP000677838的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139322盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为22nC，并且前向跨导Min为55S，并且信道模式为增强。
IPD33CN10N G是MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为11 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以OptiMOS商品名提供，器件具有Si of Technology，系列为OptiMOS 2，上升时间为21ns，漏极源极电阻Rds为33mOhms，Qg栅极电荷为24nC，Pd功耗为58W，部件别名为IPD33CN10NGBUMA1 IPD33CN00NGXT SP000096458，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为27 A，正向跨导最小值为15 S，下降时间为4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD33CN10NGATMA1带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了4 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如30 S，Id连续漏电流设计为27 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，零件别名为G IPD33CN10N SP001127812，Pd功耗为58 W，Qg栅极电荷为18 nC，Rds漏极-源极电阻为25 mOhms，上升时间为21 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为11ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V。
IPD320N20N3GATMA1带有EDA/CAD模型，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供了零件别名功能，如IPD320N33G SP001127832。
