9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC90SKM60CT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC90SKM60CT1G参考价格$2.848。微芯片技术APTC90SKM60CT1G封装/规格：MOSFET N-CH 900V 59A SP1。您可以下载APTC90SKM60CT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTC90SKM60CT1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTC90H12T1G是MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP1，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP1供应商设备包，该设备也可以用作4 N通道（H桥）FET类型。此外，功率最大值为250W，该器件提供900V漏极到源极电压Vdss，该器件具有6800pF@100V输入电容Cis-Vds，FET特性为超级结，电流连续漏极Id 25°C为30A，最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@26A，10V，Vgs最大Id为3.5V@3mA，栅极电荷Qg Vgs为270nC@10V。
APTC90H12T2G带用户指南，包括3.5V@3mA Vgs th Max Id，设计用于SP2供应商设备包，数据表注释中显示了用于CoolMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如120 mOhm@26A，10V，Power Max设计用于250W，以及托盘封装，该设备也可以用作SP2封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有6800pF@100V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为270nC@10V，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为超级结，漏极到源极电压Vdss为900V，电流连续漏极Id 25°C为30A。
APTC90HM60T3G带有电路图，包括59A电流连续漏极Id 25°C，设计用于900V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于超级结的FET特性，该超级结提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于540nC@10V，除了13600pF@100V输入电容Ciss Vds之外，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP3封装盒，该设备具有封装托盘，最大功率为462W，Rds On Max Id Vgs为60 mOhm@52A，10V，系列为CoolMOS？，供应商设备包为SP3，Vgs th Max Id为3.5V@6mA。
