9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD50N06S214ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD50N06S214ATMA1参考价格为0.39000美元。Infineon Technologies IPD50N06S214ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3。您可以下载IPD50N06S214ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPD50N06S214ATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPD50N04S4L-08是MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD50NO4S4L08ATMA1 IPD50NO 4S4L08TXT SP000711456，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-252-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有50 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为7.3 mOhm，晶体管极性为N信道。
IPD50N04S4-10是MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极源极电阻为9.3 mOhms，该器件采用IPD50N04S410ATMA1 IPD50NO4S410XT SP000711466零件别名，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为50 a。
IPD50N04S4L08ATMA1，带电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-252-3封装盒，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPD50NO4S4L-08 IPD50N4L08XT SP000711456，系列设计用于XPD50N04，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
