9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD50R399CP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD50R399CP参考价格为1.19美元。Infineon Technologies IPD50R399CP封装/规格：MOSFET N-CH 550V 9A TO252-3。您可以下载IPD50R399CP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPD50R380CEBTMA1是MOSFET N-Ch 500V 9.9A DPAK-2，包括IPD50R180系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPD50R280CE SP000992080中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商标，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为73 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.6 ns，上升时间为5.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9.9A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为24.8nC。
IPD50R380CEATMA1带有用户指南，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与CoolMOS商品名一起工作，技术如数据表说明所示，用于Si，提供部件别名功能，如IPD50R480CE SP001117698，包装设计为在卷筒中工作，以及to-252-3包装箱。
IPD50R380CE是由INF制造的MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252。IPD50R180CE可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N CH500V 9.9A PG-TO252。
