9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD02N60Z-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD02N60Z-1G参考价格为0.27000美元。onsemi NDD02N60Z-1G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK。您可以下载NDD02N60Z-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NDD02N40-1G带有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.139332盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供39 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为5.5nC，正向跨导最小值为1.1S。
NDD02N40T4G带有用户指南，包括400 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及5.5欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为400 mA。
NDD01N60-1G是MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O，包括400 mA Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，数据表中显示了用于IPAK-3的封装情况，该IPAK-3提供管、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作在8.5欧姆，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，单位重量为0.13932盎司，该器件提供600 V Vds漏极-源极击穿电压。
