9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD50R520CP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD50R520CP参考价格为0.582美元。Infineon Technologies IPD50R520CP封装/规格：MOSFET N-CH 550V 7.1A TO252-3。您可以下载IPD50R520CP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPD50R500CEATMA1带有引脚细节，包括XPD50R500系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPD50R5 00CE SP001117704中使用的数据表注释中，该设备提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为57 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为18.7nC。
IPD50R500CEBTMA1是MOSFET N-Ch 500V 7.6A DPAK-2 CoolMOS CE，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及CoolMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为500 mOhm，该器件提供18.7 nC Qg栅极电荷，该器件具有57 W的Pd功耗，部件别名为IPD50R500CE IPD50R000CEXT SP000988424，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为7.6 A，配置为单一。
IPD50R500CEAUMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于卷筒封装，数据表注释中显示了用于IPD50R000CE的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
