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NDD03N50ZT4G是MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为58 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为7纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Rds漏极源极电阻为3.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为16nC，正向跨导Min为1.8S。
NDD03N50Z-1G是MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作3.3欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为58 W，该器件采用管式封装，该器件具有IPAK-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.6 a，配置为单级。
NDD03N40ZT4G带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
