9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI028N08N3GHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI028N08N3GHKSA1参考价格为0.488美元。Infineon Technologies IPI028N08N3GHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3。您可以下载IPI028N08N3GHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI020N06NAKSA1是MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3，包括IPI020NO6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI020NO 6N IPI020N 6NXK SP000962132，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为214 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型导通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为106nC，并且正向跨导Min为210S。
IPI023NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如70 nS，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件的上升时间为26 ns，漏极-源极电阻Rds为2.3 mOhms，Qg栅极电荷为155 nC，Pd功耗为300 W，部件别名为IPI023NE7N3GAKSA1 SP000641732，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，下降时间为22 ns，配置为单一。
IPI024N06N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3，包括120 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行。数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该封装提供了管、零件别名等封装功能，该器件还可以用作IPI024N06系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
IP-HMCSR15HW，带有Altera制造的EDA/CAD模型。是软件、服务的一部分，并支持“开发软件内存控制器MegaCore，PRIMARY，开发软件内存控制MegaCore，PREMARY，混合内存立方体（HMC），半宽，8个收发器信道/链路，数据速率高达15G，256位宽。”。。
