9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI075N15N3GHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI075N15N3GHKSA1参考价格为0.548美元。Infineon Technologies IPI075N15N3GHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3。您可以下载IPI075N15N3GHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI072N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI072N1 0N3GXK IPI072N 0N3GXKSA1 SP000680674，其提供单位重量功能，如0.073511盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-262-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为150 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为37 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-电源电阻为7.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IPI05CN10NG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3。IPI05CN10NG采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3。
IPI072N10N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3。IPI072N10N3G采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3。
IPI075N15N3 G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPI075N15N3 G在TO-262封装中提供，是FET的一部分-单个。
