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IPI100N04S3-03是MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI100NO4S303AKSA1 IPI100NO 4S303XK SP000261223的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为214 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
IPI086N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.073511盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为31 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为42 ns，漏极电阻Rds为8.2 mOhms，Pd功耗为125 W，部件别名为IPI086N10N3GXK IPI088N10N3GKSA1 SP000683070，封装为管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI086N10N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3。IPI086N10N3G提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3。
IPI100N04S3，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPI100N04S3采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
