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IPI100N04S3-03是MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI100NO4S303AKSA1 IPI100NO 4S303XK SP000261223的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为214 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
IPI100N04S4-H2是MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，Rds漏极源极电阻为2.4 mOhms，该器件采用IPI100N04S4H2AKSA1 IPI100NO4S4H2XK SP000711282零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为100 a。
IPI100N04S3-03M是MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3，包括100 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该to-262-3提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPI100NO4S303MATMA2 IPI100NO 4S303MXT SP000465798，该器件还可以用作xPI100N04系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
IPI100N04S3，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPI100N04S3采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
