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SSM3K106TU(TE85L)

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: UFM 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥25.71230
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25.71
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 3-SMD,扁平引线
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 UFM
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.2A(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 36 pF @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@100A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 310毫欧姆 @ 600毫安, 10V

SSM3K106TU(TE85L) 产品详情

SSM3K106TU(TE85L)所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3K106TU(TE85L) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3K106TU(TE85L)价格参考¥25.712295,你可以下载 SSM3K106TU(TE85L)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3K106TU(TE85L)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

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