9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7136DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7136DP-T1-GE3参考价格为2.104美元。Vishay Siliconix SI7136DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8。您可以下载SI7136DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7135DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了用于SI7135DP GE3的零件别名，该SI7135DP-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-60A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为110 ns，正向跨导最小值为95s，沟道模式为增强。
SI7135CJ和SIX制造的用户指南。SI7135CJ采用DIP28封装，是IC芯片的一部分。
SI7136DP，带有SI制造的电路图。SI7136D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
