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IPI100N10S3-05是MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI100N1 0S305AKSA1 IPI100N 0S305XK SP000407128的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为34ns，沟道模式为增强。
IPI100N08S2-07是MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为61 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的OptiMOS，上升时间为51 ns，漏极-源极电阻Rds为7.1 mOhms，Pd功耗为300 W，部件别名为IPI100N08S207AKSA1 IPI100NO8S207XK SP000219041，包装为管，包装箱为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI100N04S4-H2是MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括100 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该to-262-3提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPI100NO4S4H2AKSA1 IPI100NO 4H2XK SP000711282，该器件还可以用作OptiMOS-T2系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
IPI100N04S3-03M是MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3，包括xPI100N04系列，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、晶体管极性等封装特性，设计用于N沟道，以及IPI100NO4S303MATMA2 IPI100NO 4S303MXT SP000465798零件别名，该器件也可以用作40V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Rds漏极-源极电阻为2.5 mOhms，该器件提供100 A Id连续漏极电流，该器件具有1个晶体管型N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.073511盎司。
