9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI139N08N3GHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI139N08N3GHKSA1参考价格为1.548美元。Infineon Technologies IPI139N08N3GHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3。您可以下载IPI139N08N3GHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI126N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 58A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI126N1 0N3GXKSA1 SP000683072，提供单位重量功能，如0.073511盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-262-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为94 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为58A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IPI120P04P4L-03是MOSFET P-Ch-40V-120A I2PAK-3 OptiMOS-P2，包括-40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1个P通道，提供晶体管极性特性，如P通道，该设备也可以用作OptiMOS-P2系列。此外，Rds漏极源极电阻为3.1 mOhms，该器件采用IPI120P04P4L03AKSA1 IPI120PO4P4L03XK SP000842296零件别名，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为-120A。
IPI12CN10NG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3。IPI12CN10NG可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3。
