9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI22N03S4L15AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI22N03S4L15AKSA1参考价格为0.31000美元。Infineon Technologies IPI22N03S4L15AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3。您可以下载IPI22N03S4L15AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI22N03S4L-15是MOSFET N-Ch 30V 22A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI22N03 S4L15AKSA1 IPI22N04 S4L15XK SP000277016的零件别名，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为31 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为2纳秒，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
IPI200N25N3 G是MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于250 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如45 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件具有20 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为20 mOhms，Qg栅极电荷为64 nC，Pd功耗为300 W，部件别名为IPI200N25N3GAKSA1 IPI200N2 5N3GXK SP000714308，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为64 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
IPI200N15N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3，包括50 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行。数据表说明中显示了to-262-3中使用的封装情况，该封装提供了管等封装功能，零件别名设计为在SP000680722中工作，该设备也可以用作IPI200N15系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为150 V。
IPI200N15N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3。IPI200N15N3G提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3。
