9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD9411-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD9411-F085价格参考2.95美元。onsemi FDD9411-F085封装/规格：MOSFET N-CH 40V 15A DPAK。您可以下载FDD9411-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD9407L_F085带有引脚细节，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerTrench，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为227 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为96nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的FDD9409_F085，包括3.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.009184 oz，典型开启延迟时间设计为23 ns，以及41 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为22ns，漏极-源极电阻Rds为3.2mOhms，Qg栅极电荷为42nC，Pd功耗为150W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为90 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDD9410_F085带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于9 ns，提供Id连续漏电流功能，如50 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为75W，Qg栅极电荷为23.5nC，Rds漏极-源极电阻为3.5m欧姆，上升时间为12ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.009184oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅-源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V。
