9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI50CN10NGHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI50CN10NGHKSA1参考价格为3.228美元。Infineon Technologies IPI50CN10NGHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3。您可以下载IPI50CN10NGHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI47N10SL-26是MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS，包括SIPMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI47N50SL26AKSA1 IPI47N60SL26XK SP000225704，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及SIPMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为175 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为47A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为26mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为50 ns，沟道模式为增强。
IPI47N10S-33是MOSFET N-Ch 100V 33A I2PAK-3 SIPMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为63 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为SIPMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联SIPMOS，上升时间为23ns，漏极-源极电阻Rds为33mOhms，Pd功耗为175W，部件别名为IPI47N10S33AKSA1 IPI47N1 0S33XK SP000225703，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为47 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI50CN10N G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3。IPI50CN10N G提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3。
