9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI50R350CP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI50R350CP参考价格为0.85000美元。Infineon Technologies IPI50R350CP封装/规格：MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3。您可以下载IPI50R350CP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPI50R250CP是MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI50R150CPXK IPI50R2 50CPXKSA1 SP000523750，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为114 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为550V，Rds漏极源极导通电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80nS，Qg栅极电荷为27nC。
IPI50R299CP是MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于550 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如80纳秒，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS CP系列，该器件具有14 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为299 mOhms，Qg栅极电荷为23 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPI50R299CPXK IPI50R199CPXKSA1 SP000523748，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
带电路图的IPI50R299CPXK，包括1个通道数量的通道，它们设计用于管封装，数据表注释中显示了用于IPI50R199CP IPI50R2 99CPXKSA1 SP000523748的零件别名，该IPI50R499CPXKSA提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1 N通道晶体管类型。
