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IPP120N06S4-02是MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP120NO6S402AKSA1 IPP120NO 6S402AKSA 2 IPP120N 6S402XK SP001028774，提供单位重量功能，如0.211644盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-220-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有120 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为2.4 mΩ，晶体管极性为N信道。
IPP120N06S4-03是MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道、商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，漏极源极电阻Rds为2.8 mOhms，该器件采用IPP120N06S403AKSA1 IPP120NO6S403AKSA 2 IPP120NO 6S403XK SP001028768零件别名，该器件具有一个包装管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为120 a。
IPP120N06S4-H1是MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2，包括120 A Id连续漏极电流，它们设计用于1通道数量的通道，封装情况如数据表注释所示，用于to-220-3，提供管等封装功能，零件别名设计用于IPP120NO6S4H1AKSA1 IPP120NO 6S4H1/KSA2 IPP120N 6S4H1XK SP001028780，该器件还可以用作OptiMOS-T2系列。此外，该技术为硅，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
