9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI60R250CPAKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI60R250CPAKSA1参考价格为10.236美元。Infineon Technologies IPI60R250CPAKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 12A TO262-3。您可以下载IPI60R250CPAKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI60R199CP是MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI60R199CPXKSA1 IPI60R299CPXKSA 2 SP001109508，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为139 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为199mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPI60R190C6是MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如110纳秒，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为63 nC，Pd功耗为151 W，部件别名为IPI60R190C6XK IPI60R1 90C6XKSA1 SP000660618，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20.2 A，下降时间为9 ns，配置为单一。
带有电路图的IPI60R199CPXKSA2，包括TO-262-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI60R199CP SP001109508的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPI60R199CP（6R199P），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPI60R199CP（6R199P）采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
