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IPD60R650CEATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPD60R750CE SP001276026零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为63 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为11 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为20.5nC，沟道模式为增强。
IPD60R750E6是MOSFET N-Ch 650V 5.7A DPAK-2 CoolMOS E6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及CoolMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件提供680 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有48 W Pd功耗，零件别名为IPD60R750E6BTMA1 IPD60R650E6XT SP000801094，包装为卷轴式，包装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5.7 A。
IPD60R600P6ATMA1带有电路图，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于to-252-3封装盒，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如IPD60R700P6 SP001178242，技术设计用于Si，以及0.13932盎司单位重量。
