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IPP80N06S4L-05是MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP80NO6S4L05AKSA1 IPP80NO 6S4L05AK SA2 IPP80N 6S4L05XK SP001028716，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为107 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为83nC，沟道模式为增强。
IPP80N06S4L-07是MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，漏极源极电阻Rds为6.4 mOhms，该器件采用IPP80N06S4L07AKSA1 IPP80NO6S4L07AK SA2 IPP80NO 6S4L07XK SP001028668零件别名，该器件具有一个包装管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为80A。
IPP80N06S407AKSA2，带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管中的封装，该管提供部件别名功能，如IPP80NO6S4-07 IPP80NO 6S407XK SP001028666，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
