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NTTFS4965NFTAG
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NTTFS4965NFTAG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.3A(Ta)、64A(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 254

  • 库存: 12000
  • 单价: ¥8.61905
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,189.24
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规格参数

  • 包装数量 6
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2075 pF@15 V
  • 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29.4 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@20A、10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16.3A(Ta)、64A(Tc)
  • 色彩/颜色 黑色

NTTFS4965NFTAG 产品详情

这是一个30 V N沟道功率MOSFET。

特色

  • 紧凑型设计占地面积小(3.3 x 3.3 mm)
  • 最小化所需的PCB面积
  • 低RDS(开启)以最小化传导损耗
  • 更高的效率
  • 低电容使驱动器损耗最小化
  • 更高的效率
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC转换器
  • 高压侧开关
  • 笔记本电脑
NTTFS4965NFTAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTTFS4965NFTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTTFS4965NFTAG价格参考¥8.619051,你可以下载 NTTFS4965NFTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTTFS4965NFTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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