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IPU60R2K1CEBKMA1带有引脚细节，包括管封装，它们设计用于IPU60R1K1CE SP001276064零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012102盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于CoolMOS，以及to-251-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为22 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为50 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为6.7nC，沟道模式为增强。
IPU60R950C6是MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.012102盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及XPU60R950系列，该设备也可以用作IPU60R950C6BKMA1 IPU60R150C6XK SP000931532部件别名。此外，包装为管式，设备采用TO-251-3包装盒，设备具有1个通道数，安装方式为通孔。
IPU60R600C6AKMA1是MOSFET LOW POWER_LEGACY，包括TO-251-3封装盒，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPU60R700C6 SP001292878，提供Si等技术功能。
