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IPI70N10S3-12是MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI70N1 0S312AKSA1 IPI70N 0S312XK SP000407124，其提供单位重量功能，如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
IPI70N04S3-07是MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为17 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T系列，上升时间为8 ns，漏极-源极电阻Rds为7.1 mOhms，Pd功耗为79 W，部件别名为IPI70N04S307AKSA1 IPI70NO4S307XK SP000279551，包装为Tube，包装箱为I2PAK-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI65R660CFD是MOSFET N-Ch 650V 6A I2PAK-3 CoolMOS CFD2，包括单一配置，它们设计为在10 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于6 a的Id连续漏电流，提供了安装类型特征，如通孔、通道数量设计为在1个通道中工作，该装置也可以用作管包装。此外，部件别名为IPI65R660CFDXK IPI65R760CFDXKSA1 SP000861696，该器件提供63 W Pd功耗，该器件具有22 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为660 mOhm，上升时间为8 ns，系列为CoolMOS CFD2，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
IPI70N04S4-06是MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括管封装，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作，数据表中显示了用于Si的技术，提供OptiMOS-T2等系列功能，商品名设计用于OptiMOS，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作IPI70N04S406AKSA1 IPI70NO4S406XK SP000711484部件别名。此外，Id连续漏极电流为70 A，器件提供6.2 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有40 V Vds漏极源极击穿电压，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.073511盎司。
