9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI80N04S2H4AKSA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI80N04S2H4AKSA2参考价格为1.01000美元。Infineon Technologies IPI80N04S2H4AKSA2封装/规格：MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3。您可以下载IPI80N04S2H4AKSA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI80N03S4L-03是MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI80NO3S4L03AKSA1 IPI80NO 3S4L03XK SP000273285的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强型。
IPI80N03S4L-04是MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为37 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为6 ns，漏极源极电阻Rds为3.6 mOhms，Pd功耗为94 W，部件别名为IPI80N03S4L04AKSA1 IPI80NO3S4L04XK SP000274983，封装为Tube，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带电路图的IPI80N04S204AKSA2，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPI80NO4S-204 SP001063634。技术设计为在Si中工作，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
