9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI80N03S4L03AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI80N03S4L03AKSA1参考价格为0.708美元。Infineon Technologies IPI80N03S4L03AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3。您可以下载IPI80N03S4L03AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPI80N03S4L03AKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPI80N03S4L-03是MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI80NO3S4L03AKSA1 IPI80NO 3S4L03XK SP000273285的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强型。
IPI70P04P4-09是MOSFET P-Ch-40V-70A I2PAK-3 OptiMOS-P2，包括-40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1个P通道，提供晶体管极性特性，如P通道，该设备也可以用作OptiMOS-P2系列。此外，Rds漏极源极电阻为9.1 mOhms，该器件采用IPI70P04P409AKSA1 IPI70PO4P409XK SP000735974零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为-70 a。
带有电路图的IPI70R950CEXKSA1，包括TO-262-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI70R150CE的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPI80CN10NG是Infineon制造的MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3。IPI80CN10NG采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3。
