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IPP96N03L G是MOSFET N-Ch 30V 35A TO220-3 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于管式封装,零件别名显示在IPP96NO3LGHKSA1 SP000254737中使用的数据表注释中,该产品提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为42 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为2.6 ns,上升时间为3.2 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为35A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为9.6mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为16ns,典型接通延迟时间为4ns,沟道模式为增强。
IPP096N03LG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3。IPP96N03LG采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3。
IPP09N03LA是INFINEON制造的MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB。IPP09N03LA采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB、N沟道25V 50B(Tc)63W(Tc)通孔PG-TO-220-3。
IPP09N03LAG,带有infineon制造的EDA/CAD模型。IPP09N03LAG采用TO220封装,是IC芯片的一部分。