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IPP80N03S4L-04是MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3,包括OptiMOS-T2系列,它们设计用于管式封装,零件别名显示在IPP80NO3S4L04AKSA1 IPP80NO 3S4L04XK SP000274981中使用的数据表注释中,该产品提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为94 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为7 ns,上升时间为6 ns,Vgs栅极-源极电压为16V,Id连续漏极电流为80A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为3.6mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为37ns,典型接通延迟时间为9ns,沟道模式为增强。
IPP80N03S4L03AKSA1是MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术,该Si提供了XPP80N03等系列功能,零件别名设计用于IPP80N3S4L-03 IPP80N4L03XK SP000275328以及管封装,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,信道数为1信道。
IPP80N04S-2-04是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。IPP80N04S-2-04采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。
IPP80N04S-2-04(2N04-04),带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP80N04S-2-04(2N04-04)采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。