9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP80N06S2L11AKSA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP80N06S2L11AKSA2参考价格为0.86000美元。Infineon Technologies IPP80N06S2L11AKSA2封装/规格：MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3。您可以下载IPP80N06S2L11AKSA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP80N06S2L-11是MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP80NO6S2L11AKSA1 IPP80NO 6S2L11AFSA2 SP001061296，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为158 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IPP80N06S2L09AKSA2，带有用户指南，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了部件别名功能，如IPP80NO6S2L-09 SP001061718。包装设计为在管中工作，以及to-220-3包装箱，该设备也可以用作1信道数信道。
IPP80N06S2L-09，带有INFINEON制造的电路图。IPP80N06S2L-09采用PG-TO220-3-1封装，是FET的一部分-单体。
