9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN8R5-100ESFQ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN8R5-100ESFQ参考价格$3.854。Nexperia USA Inc.PSMN8R5-100ESFQ封装/规格：MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK。您可以下载PSMN8R5-100ESFQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN8R2-80YS，115是MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作130W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为80V，该器件提供3640pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为82A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.5 mOhm@15A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为55nC@10V。
PSMN8R3-40YS，115是MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于8.6 mOhm@15A、10V，提供功率最大功能，如74W，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1215pF@20V输入电容Ciss Vds，该器件具有20nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为70A（Tc）。
PSMN8R2-80YS115，带有NXP制造的电路图。PSMN8R2-80YS115采用LFPAK Power-SO8封装，是IC芯片的一部分。
PSMN8R3-40YS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN8R3-40YS在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
