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IPP80N06S2L-11是MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP80NO6S2L11AKSA1 IPP80NO 6S2L11AFSA2 SP001061296，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为158 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IPP80N06S2L-H5是MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的OptiMOS，上升时间为23 ns，漏极-源极电阻Rds为5 mOhms，Pd功耗为300 W，零件别名为IPP80N06S2LH5AKSA1 IPP80NO6S2LH5AK SA2 SP001063648，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP80N06S2L11AKSA2，带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPP80NO6S2L-11 SP001061296。技术设计为在Si中工作，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
