9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7885TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7885TRPBF参考价格为1.19美元。Infineon Technologies IRFH7885TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 80V 22A 8PFN。您可以下载IRFH7885TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH7545TRPBF是MOSFET 60V StrongIRFET功率MOSFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单一配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为85 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，第Vgs栅极源极阈值电压为3.7 V，Rds漏极-源极电阻为6毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43纳秒，典型接通延迟时间为8.6纳秒，Qg栅极电荷为73纳秒，正向跨导最小值为140秒。
IRFH7787TRPBF是MOSFET 75V单N沟道HEXFET电源，包括3.7V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.3ns，典型的关闭延迟时间设计为53ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以16 ns上升时间提供，器件具有6.6 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为110 nC，Pd功耗为83 W，封装为卷轴，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为68 a，并且前向跨导Min是110S，并且下降时间是12ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
IRFH7882TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFH7882TRPBF以DFN5X6封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道80V 26A（Ta）4W（Ta）、195W（Tc）8-PQFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH 80V 26A/R、MOSFET、80V、180A、3.1mOhm、49nC Qg、PQFN 5x6”。
