9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL20NF06LAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL20NF06LAG参考价格为1.856美元。STMicroelectronics STL20NF06LAG封装/规格：MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT。您可以下载STL20NF06LAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL20DN10F7是MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56？，STripFET？VII系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如8-PowerVDFN，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为2信道，设备采用PowerFlat？（5x6）供应商设备包，该设备具有双重配置，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为62.5W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis Vds为408pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs为67 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为7.8nC@10V，Pd功耗为4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为67mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为6.3ns，Qg栅极电荷为7.8nC，沟道模式为增强。
STL20DNF06LAG带有用户指南，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于7 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如36.8 ns，晶体管极性设计为在N沟道中工作，该器件也可以用作15.4ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为40 mOhm，器件提供22.5 nC Qg栅极电荷，器件具有75 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为7.7 ns，通道模式为增强型。
STL20N6F7，带有ST制造的电路图。STL20E6F7以QFN封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET N沟道60 V、N沟道60V 100A（Tc）3W（Ta）、78W（Tc）表面贴装PowerFlat”（3.3x3.3）、Trans MOSFET N-CH 60V 100V 8引脚功率Flat EP T/R、MOSFET N信道60 V、典型值0.0046欧姆、PowerFlat 3.3x3.3封装中的20 A STripFET F7功率MOSFET。
