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IRFH7545TRPBF是MOSFET 60V StrongIRFET功率MOSFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单一配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为85 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，第Vgs栅极源极阈值电压为3.7 V，Rds漏极-源极电阻为6毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43纳秒，典型接通延迟时间为8.6纳秒，Qg栅极电荷为73纳秒，正向跨导最小值为140秒。
IRFH7787TRPBF是MOSFET 75V单N沟道HEXFET电源，包括3.7V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.3ns，典型的关闭延迟时间设计为53ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以16 ns上升时间提供，器件具有6.6 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为110 nC，Pd功耗为83 W，封装为卷轴，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为68 a，并且前向跨导Min是110S，并且下降时间是12ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
IRFH7446TRPBF是MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6，包括增强信道模式，它们设计为在26 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了159 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流功能，如117 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，封装盒为PQFN-8，器件采用卷筒封装，器件具有78W的Pd功耗，Qg栅极电荷为98nC，Rds漏极-源极电阻为3.3mOhms，上升时间为37ns，技术为Si，商品名为StrongIRFET，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型的导通延迟时间为11ns，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.9V。
