9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD60R520C6ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD60R520C6ATMA1参考价格$1.0。Infineon Technologies IPD60R520C6ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3。您可以下载IPD60R520C6ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD60R460CEATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPD60R4 60CE SP001276024零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为74 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为10 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为9.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为460mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为28nC，沟道模式为增强。
IPD60R450E6ATMA1带有用户指南，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供CoolMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及IPD60R4 50E6 SP001117720零件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-252-3，该设备提供1信道数信道。
IPD60R450E6是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252。IPD60R450E6采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252。
