9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD4808NT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVD4808NT4G价格参考2.946美元。onsemi NVD4808NT4G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK。您可以下载NVD4808NT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD4804NT4G是MOSFET功率MOSFET 30V 117A 4 M，其中包括NTD48044N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.66 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为30nC。
NVD4805NT4G是MOSFET NFET DPAK 30V 88A 5MOHM，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计为在NTD48055N中工作，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有88 a的Id连续漏电流。
NVD4806NT4G是MOSFET N-CH 30V 76A DPAK，包括76 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-252-3，提供卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计用于6 mOhms，以及NTD48066N系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.13932盎司，该器件具有30 V的Vds漏极-源极击穿电压。
