9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD4813NHT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVD4813NHT4G参考价格为9.134美元。onsemi NVD4813NHT4G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK。您可以下载NVD4813NHT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD4810NT4G是MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOH，包括NTD4810N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作54 a Id连续漏电流。此外，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，器件的漏极-漏极电阻为10 mOhms Rds，器件具有N沟道晶体管极性。
NVD4808NT4G是MOSFET NFET DPAK 30V 63A 8MOHM，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于NTD48088N，以及8 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有63A的Id连续漏电流。
NVD4809NT4G是MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM，包括58A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了to-252-3中使用的封装情况，该to-252-3提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在9 mOhms，以及NTD48099N系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.13932盎司，该器件具有30 V的Vds漏极-源极击穿电压。
NVD4809NHT4G是MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于NTD4809NH。
