9icnet为您提供由onsemi设计和生产的3LN01M-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。3LN01M-TL-H价格参考0.06000美元。onsemi 3LN01M-TL-H封装/规格：MOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH3。您可以下载3LN01M-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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3LN01M-TL-E是MOSFET N-CH 30V 0.15A，包括3LN01M系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004395盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-323-3以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为150 mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为155ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为1.58nC。
3LN01M-T1，带有SANYO制造的用户指南。3LN01M-T1采用SOT-323封装，是IC芯片的一部分。
3LN01M-TL，带有SANYO制造的电路图。3LN01M-TL在SOT-323封装中提供，是FET的一部分-单个。
